欧盟委员会依据《欧洲芯片法案》批准奥地利向英飞凌提供3.19亿欧元补贴，支持其扩建氮化镓芯片产线。英飞凌计划至2034年投资约11亿欧元，2027年底投产。芯片将供应AI数据中心和电动汽车。

英飞凌宣布将在奥地利菲拉赫工厂投资约11亿欧元，建设全球首个300毫米晶圆氮化镓功率半导体大规模生产基地。基地计划2027年底投产。涉及英飞凌及欧洲半导体供应链。

瑞士洛桑联邦理工开发出新型氮化镓晶体管，耐压接近4000伏。该器件在高压下保持较低电阻。可用于AI数据中心、可再生能源系统和电动汽车。