热榜
股市
简阅
首页
热榜
股市
简阅
推荐
热点
快讯
氮化镓功率半导体
英飞凌投资11亿欧元建GaN基地
空
2026-10-27 18:04:06
英飞凌宣布将在奥地利菲拉赫工厂投资约11亿欧元,建设全球首个300毫米晶圆氮化镓功率半导体大规模生产基地。基地计划2027年底投产。涉及英飞凌及欧洲半导体供应链。
英飞凌
氮化镓
晶圆厂
科技
电子行业
奥地利
数据加载中…
加载更多