英伟达要求三星等供NVHBM
中性 2周前消息称英伟达要求三星等采用台积电3nm基底裸片生产NVHBM。三星电子回应称不对涉及客户事项发表评论。涉及英伟达、存储厂商及台积电。
有消息称，英伟达已要求三星电子、SK海力士和美光科技采用台积电3nm制程的基底裸片（Base Die）为其生产NVHBM（英伟达的定制HBM技术，HBM即高带宽内存），核心裸片（Core Die）则采用第六代DRAM（动态随机存取存储器）技术，三星电子已经决定接受英伟达的技术要求。对于此事的真实性，10月19日，三星电子回应称，公司不对涉及客户的事项发表评论。