高盛预计NAND供需紧张或延续至2027年。其预计三星和SK海力士NAND明年均价分别同比上涨34%和30%。事件涉及NAND市场及三星、SK海力士。

高盛称NAND供需紧张或延续至2027年。铠侠产能基本售罄。涉及高盛、铠侠与存储行业。

古克勒称公司以强劲季度开启2027财年，营收、毛利率和每股收益均超指引。技术路线包括BiCS 8及后续节点，采用CMOS直接键合阵列架构。涉及存储芯片业务、客户及NAND技术路线。

铠侠称营收与利润增长有望于下一季度反弹。公司对下一财年NAND价格增长轨迹不确定。涉及公司股东及存储芯片产业。

Counterpoint报告称，2026年第二季度长江存储NAND出货量排名升至全球第三，仅次于三星和SK海力士。其营收份额从9%升至14%。涉及存储芯片。

三星电子正在研发三种类型z-NAND闪存，包括z-NAND-O、z-NAND-T和z-NAND-I。拓展下一代NAND应用。涉及三星及存储市场。

TrendForce预计2026年第四季一般型DRAM合约价季增10%-15%，NAND Flash季增15%-20%。AI服务器需求支撑，消费端压力未减。涉及存储器原厂。

SK海力士子公司考虑赴美建厂。布局NAND闪存产能多元化。涉及SK海力士、美国与半导体供应链。

路透社报道，长鑫存储计划在北京新工厂建立NAND闪存研发生产线，并已与客户讨论NAND闪存计划，用于AI系统和超级计算机存储。

SK海力士旗下Solidigm考虑在美国建设首座NAND闪存工厂。SK海力士称正在评估各种选项，尚未确认任何计划。

铠侠CEO称不会推动存储芯片大幅涨价，并维持当前NAND价格以保障AI需求。他同时否认与SK海力士深化合作的前景。涉及铠侠、SK海力士及存储芯片客户。

据称苹果罕见签下NAND闪存长期协议，且不设价格上限。存储芯片议价方式受到关注。相关方为苹果及存储芯片供应商。

据报道苹果近期与NAND闪存供应商签署长期供应协议，对手方据市场人士称为铠侠，协议细节尚未确认。

美光正探索开发高耐久性NAND闪存模块并使其更靠近GPU，以处理不需要传统HBM或DRAM高带宽高延迟的工作负载。涉及美光、AI大模型及存储行业。

铠侠拟投资超1万亿日元在岩手县新建NAND闪存工厂。预计8月27日宣布建设计划。公司股价随消息上涨近6%。