三星明年HBM占DRAM产能

正面 1月前

科技同花顺华尔街见闻 HBM 三星电子消费电子

三星电子高管称明年HBM将占DRAM总晶圆产能近30%。目前约为20%。涉及三星电子与存储芯片产业。

三星电子 HBM DRAM

三星电子高管表示，高带宽内存 (HBM) 预计将在明年占动态随机存取存储器 (DRAM) 芯片制造商总晶圆产能的近30%，高于目前的约20%。

三星电子高管：明年HBM将占DRAM芯片制造商总晶圆产能的近30%

三星电子高管称，明年HBM将占DRAM芯片制造商总晶圆产能的近30%，而目前约为20%。