长鑫科技称第六代工艺技术平台完成工程样片验证。该平台基于4F²垂直沟道DRAM架构。涉及长鑫科技及国产存储芯片产业链。

长鑫科技在业绩交流会称，第六代工艺平台完成工程样片验证。该平台基于4F²垂直沟道DRAM架构，为长鑫首次宣布该架构应用。涉及长鑫科技及存储芯片产业相关方。

长鑫科技前三季度营收2690.24亿元，同比增长738.51%，归母净利1320.40亿元，扭亏为盈。公司称受算力需求增长和DRAM供不应求带动。涉及公司股东及存储产业。

长鑫科技表示对全球和中国DRAM产业中长期前景保持坚定信心。其称AI对数据吞吐需求迅速增长，DRAM战略基础设施地位将强化。中国提升DRAM自给能力具有现实意义。

字节跳动海外短剧平台PineDrama由TikTok独立团队运营；上线后下载量快速增长，美国、巴西增长明显；涉及短剧出海。

长鑫科技预计前三季营收2650亿至2700亿元，净利1310亿至1325亿元。上年同期亏损52.8亿元，同比扭亏。AI算力需求与DRAM景气推动。涉及公司及投资者。

南亚科技总经理李培瑛称第四季度DRAM价格将继续上涨。各产品涨幅不同，毛利率可能优于第三季度。客户洽谈长期供应协议。

字节跳动旗下短剧应用PineDrama上线约9个月下载量破亿，日活约700万，带动AI漫剧概念股涨停。涉及字节跳动及海外短剧市场。

长鑫存储总裁曹堪宇介绍4F² DRAM架构技术进展。公司预计年底推出采用该技术的新一代DDR5 RDIMM。涉及长鑫存储、存储芯片客户及DRAM市场。

长鑫科技官宣4F² DRAM架构取得进展，专利数量超海外厂商，年底推技术产品。涉及长鑫科技与存储行业。

三星电子VD事业部决定从明年开始采购华邦电子LPDDR4和LPDDR4X芯片，预计2027年实际导入。利益相关方为三星、华邦电子及供应链。

DRAM被称迎来超级成长周期；存储芯片行业关注度上升；涉及存储厂商与产业链。

南亚科通知客户上调DRAM合约价格，最高涨幅20%。公司对报价不予置评。业内认为涨价将传导，改善盈利。涉及存储芯片市场。

DRAM迎超级成长周期，南亚科计划涨价最高20%。余承东称存储元器件涨价使华为每部手机成本增超200美元，华为今后不得不涨价。涉及华为、存储厂商与消费者。

SK海力士扩大存储半导体倒装芯片封装外包规模，向WINPAC追加外包。涉及DDR4、DDR5 DRAM，WINPAC已量产。涉及存储器供应链。

TrendForce预计2026年第四季一般型DRAM合约价季增10%-15%，NAND Flash季增15%-20%。AI服务器需求支撑，消费端压力未减。涉及存储器原厂。

三星电子高管称明年HBM将占DRAM总晶圆产能近30%。目前约为20%。涉及三星电子与存储芯片产业。

长鑫科技拟使用超募资金130亿元投建技术研发项目，并向长鑫存储提供50亿元投建测试基地二期。两项目投资总额241亿元和108亿元。涉及存储芯片产业。

三星电子正加快建设平泽第五园区P5首条量产线Ph1，与设备供应商商讨将设备安装目标从明年三季度提前至明年二季度，以应对AI领域高价值DRAM和NAND需求。

美国ITC投票决定对特定DRAM设备及下游产品启动337调查。Netlist公司主张产品侵犯其美国专利。涉及DRAM厂商与国际贸易。