信息分析长鑫除周期红利外还有什么。未披露具体数据。涉及长鑫存储与半导体行业。

长鑫存储拒绝苹果报价。相关谈判结果受到关注。涉及长鑫存储、苹果与供应链。

科技媒体报道长鑫拒绝向苹果供应内存并拒绝匿名海外服务器制造商订单，另有“拒绝为苹果降价”说法；分析称产能紧张或优先保供中国大陆客户；涉及长鑫、苹果与存储供应链。

英伟达CEO黄仁勋在柏林表示，到2029年内存供应过剩可能性不大；被问及与中国长鑫存储合作时称持开放态度；其称中国在底层基础设施技术和制造业方面表现出色。

长鑫存储DDR5引发韩股熔断。内容涉及存储芯片市场波动。

三佳科技在业绩说明会上表示，长鑫存储为间接控股股东合肥产投集团重点投资孵化项目，截至目前公司与长鑫存储无业务往来。涉及三佳科技、长鑫存储。

长鑫存储总裁曹堪宇介绍4F² DRAM架构技术进展。公司预计年底推出采用该技术的新一代DDR5 RDIMM。涉及长鑫存储、存储芯片客户及DRAM市场。

长鑫存储在2026世界制造业大会宣布第五代DRAM技术平台量产。基于该平台的24GB LPDDR5X产品进入规模量产，晶圆产出提升50%以上。涉及长鑫存储及手机厂商。

路透社报道，长鑫存储计划在北京新工厂建立NAND闪存研发生产线，并已与客户讨论NAND闪存计划，用于AI系统和超级计算机存储。

QUICK FactSet数据显示，2026年第二季度长鑫存储息税前利润率82%，超过SK海力士76%和三星电子半导体业务70%，成为全球盈利水平最高的存储芯片厂商。同期营收较上年增长约10倍。

长鑫存储自主研发的LPDDR6芯片已量产商用，首发搭载于小米18 Fold。单颗粒容量16Gb，最高速率12800Mbps。与LPDDR5X相比带宽提升60%。

Counterpoint报告称，二季度全球DRAM市场总营收同比增长385%。三星、SK海力士、美光居前三，长鑫存储份额升至10%。涉及DRAM原厂及下游电子产业链。

长鑫存储开启全球校招，工作地点包括合肥、北京、上海等，岗位覆盖电路设计等。

长鑫存储起诉美国国防部，要求将其从黑名单移除。长鑫科技上半年净利776亿元扭亏，并宣布LPDDR6内存量产。公司称全球内存芯片供给紧缺延续。

长鑫起诉美国国防部，引发关注。企业选择法律途径维权。涉及长鑫公司及美国司法程序。

周末要闻：个人住房贷款期限延至40年，长鑫LPDDR6内存芯片正式量产。

长鑫官宣LPDDR6内存量产，全球首发。雷军点赞该技术进展。LPDDR6为新一代内存产品。

长鑫官宣LPDDR6内存量产，标志存储芯片技术进展。涉及长鑫存储及下游电子厂商。

长鑫存储回应称已起诉美国国防部，否认军事企业属性，称仅生产民用DRAM。涉及长鑫存储与美国国防部。

长鑫存储宣布LPDDR6内存量产，雷军发文祝贺；同时长鑫存储起诉五角大楼。打破内存垄断，引发争议。涉及长鑫存储、雷军及五角大楼。