SK海力士称HBM/DRAM能见度延伸至2029年且需求为供应两倍，普冉股份Q3扣非净利大增，存储涨价与AI需求共振；关注价格和产能释放。

三星HBM份额升至30%中段，江波龙前三季净利同比增超19倍，存储器公司三季报普遍高增；AI需求驱动涨价，关注价格持续性与HBM竞争。

国内存储厂商长鑫科技计划启动HBM3E小批量生产；国产高端存储推进，关注验证进展及设备材料产业链机会。

国内存储厂商拟启动HBM3E小批量生产，长鑫科技带动存储赛道关注度；券商研报称白酒磨底。HBM量产有望提升国产存储产业链。关注量产进展。

三星Q3营业利润首破100万亿韩元但略低于预期，HBM4收入环比增超两倍、2027年HBM售罄，晶圆代工扩产；同时推迟股东回报计划致股价大跌。多空交织，关注存储价格与扩产进度。

SK海力士三季度营收首破100万亿韩元、HBM4规模出货，存储供需缺口预计延续至2030年；A股存储链受关注，但海力士前期股价大跌显示波动仍大。

高盛预计DRAM价格涨至2028年上半年，长鑫科技拟小批量产HBM3E，SK海力士业绩创纪录并扩产。存储景气预期强化，关注国产HBM验证与设备材料受益。

SK海力士Q3营收104.6万亿、营业利润83.3万亿韩元超预期，宣布100万亿韩元股东回报，HBM4放量且存储短缺或持续至2030。A股存储芯片及半导体链受景气提振，关注HBM4出货与涨价传导。

SK海力士Q3营业利润83.3万亿韩元超预期，HBM4将成主力，DRAM和HBM至2029年产能售罄；希捷营收增60%。存储供不应求延续，利多A股存储链，关注HBM国产进度。

存储芯片港股及A股走强，DDR4部分现货上涨，机构看好存储荒至2027年及HBM价格翻倍，SK海力士传大额派息，长鑫存储称产能供不应求。关注价格与国产替代订单。

三星与SK海力士计划明年二季度量产8层HBM4供英伟达，SK海力士或派发特别股息，DDR5现货价上涨。存储景气与资本回报共振，关注量产进度及价格趋势。